【STS9NF3LL/规格参数】厂家_STS9NF3LL中文资料_价格

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型号： STS9NF3LL
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STS9NF3LL产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOICMOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	9 A
Id-连续漏极电流	9 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS9NF3LLSTripFET™ II
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产品型号	STS9NF3LL
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	19 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	19 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	32 ns
下降时间	11 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	19 毫欧 @ 4.5A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	497-8196-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF64947?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	21 ns
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
单位重量	85 mg
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9A （Tc）
系列	STS9NF3LL
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source