图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STP150N3LLH6
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STP150N3LLH6产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP150N3LLH6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STP150N3LLH6价格参考以及STMicroelectronicsSTP150N3LLH6封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STP150N3LLH6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STP150N3LLH6详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 80A TO220MOSFET N-Channel 30 V 80A -55 to 175

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP150N3LLH6DeepGATE™, STripFET™ VI

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP150N3LLH6

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

上升时间

18 ns

下降时间

46 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4040pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.3 毫欧 @ 40A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-9097-5

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

110W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STP150N3LLH6

配置

Single

STP150N3LLH6 相关产品

SMBJ15A-E3/5B

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:

LT1013CN8#PBF

品牌:Linear Technology/Analog Devices

价格:

20GENG3EM

品牌:Delta Electronics

价格:

CKSR 6-NP

品牌:LEM USA Inc.

价格:

3053/1 RD001

品牌:Alpha Wire

价格:

IR3473MTRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

ERA-3APB681V

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

RC1005J114CS

品牌:Samsung Electro-Mechanics

价格: