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  • 型号: STGFL6NC60D
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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STGFL6NC60D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGFL6NC60D由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STGFL6NC60D价格参考以及STMicroelectronicsSTGFL6NC60D封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STGFL6NC60D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STGFL6NC60D详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

6.7ns/46ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

25A

描述

IGBT 600V 7A 22W TO220FPIGBT 晶体管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

12nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGFL6NC60DPowerMESH™

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产品型号

STGFL6NC60D

SwitchingEnergy

46.5µJ (开), 23.5µJ (关)

TestCondition

390V, 3A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.9V @ 15V,3A

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-7479-5
STGFL6NC60D-ND

功率-最大值

22W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

30ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

7A

系列

STGFL6NC60D

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

7 A

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