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Datasheet下载- 型号： STGD8NC60KDT4
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STGD8NC60KDT4产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/72ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 15A 62W DPAKIGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 19nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGD8NC60KDT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGD8NC60KDT4 |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 85µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 3A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.75V @ 15V，3A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7988-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF191786?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 62W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 23.5ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 系列 | STGD8NC60KD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 15 A |
