【STD50N03L/规格参数】厂家_STD50N03L中文资料_价格

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型号： STD50N03L
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STD50N03L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STD50N03L由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供STD50N03L价格参考以及STMicroelectronicsSTD50N03L封装/规格参数等产品信息。你可以下载STD50N03L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD50N03L详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 40A DPAKMOSFET POWER MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	40 A
Id-连续漏极电流	40 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD50N03LSTripFET™ III
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产品型号	STD50N03L
Pd-PowerDissipation	60 W
Pd-功率耗散	60 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	10 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	10 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	125 ns
下降时间	45 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1434pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	14nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10.5 毫欧 @ 20A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	497-7970-1
典型关闭延迟时间	24 ns
功率-最大值	60W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	40A （Tc）
系列	STD50N03L
通道模式	Enhancement
配置	Single