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  • 型号: STB185N55F3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STB185N55F3产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STB185N55F3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

STripFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 毫欧 @ 60A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-7940-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF166015?referrer=70071840

功率-最大值

330W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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