【STB100NF03L-03T4/规格参数】厂家_STB100NF03L-03T4中文资料_价格

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型号： STB100NF03L-03T4
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STB100NF03L-03T4产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB100NF03L-03T4STripFET™ III
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产品型号	STB100NF03L-03T4
Pd-PowerDissipation	300 W
Pd-功率耗散	300 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	315 ns
下降时间	95 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	88nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.2 毫欧 @ 50A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-7929-2 STB100NF03L-03T4-ND STB100NF03L03T4
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF64460?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	115 ns
功率-最大值	300W
包装	带卷（TR）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
系列	STB100NF03L-03
通道模式	Enhancement
配置	Single