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  • 型号: SSM6L13TU(T5L,F,T)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SSM6L13TU(T5L,F,T)产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L13TU

产品图片

产品型号

SSM6L13TU(T5L,F,T)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

268pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

143毫欧 @ 600MA, 4V

供应商器件封装

UF6

其它名称

SSM6L13TU(T5LFT)CT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

800mA

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