【SPP08N80C3/规格参数】厂家_SPP08N80C3中文资料_价格

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型号： SPP08N80C3
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SPP08N80C3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP08N80C3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SPP08N80C3价格参考以及InfineonSPP08N80C3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SPP08N80C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP08N80C3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220ABMOSFET COOL MOS N-CH 800V 8A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	8 A
Id-连续漏极电流	8 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP08N80C3CoolMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
产品型号	SPP08N80C3
Pd-PowerDissipation	104 W
Pd-功率耗散	104 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	650 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	650 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	15 ns
下降时间	7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 470µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1100pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	650 毫欧 @ 5.1A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO220-3
其它名称	SP000013704 SP000683156 SPP08N80C3IN SPP08N80C3X SPP08N80C3XK SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XTIN SPP08N80C3XTIN-ND
典型关闭延迟时间	65 ns
功率-最大值	104W
包装	管件
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	500
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8A （Tc）
系列	SPP08N80
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP000683156 SPP08N80C3XKSA1