【SPB20N60C3/规格参数】厂家_SPB20N60C3中文资料_价格

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型号： SPB20N60C3
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SPB20N60C3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SPB20N60C3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SPB20N60C3价格参考以及InfineonSPB20N60C3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SPB20N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB20N60C3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAKMOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	20.7 A
Id-连续漏极电流	20.7 A
品牌	Infineon Technologies
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPB20N60C3CoolMOS™
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产品型号	SPB20N60C3
Pd-PowerDissipation	208 W
Pd-功率耗散	208 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	190 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	190 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	650 V
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	5 ns
下降时间	4.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	114nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 13.1A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-3
其它名称	SP000013520 SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3INTR SPB20N60C3XT SPB20N60C3XT-ND
典型关闭延迟时间	67 ns
功率-最大值	208W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20.7A （Tc）
系列	SPB20N60
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP000013520 SPB20N60C3ATMA1