【SIA406DJ-T1-GE3/规格参数】厂家_SIA406DJ-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SIA406DJ-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SIA406DJ-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA406DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SIA406DJ-T1-GE3价格参考￥1.04-￥1.07以及VishaySIA406DJ-T1-GE3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SIA406DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA406DJ-T1-GE3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA406DJ-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SIA406DJ-T1-GE3SIA406DJ-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	19 W
Pd-功率耗散	19 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	19.8 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	19.8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1380pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	23nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	19.8 毫欧 @ 10.8A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SC-70-6 单
其它名称	SIA406DJ-T1-GE3DKR
功率-最大值	19W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SC-70-6
封装/箱体	SC-70-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Tc）
系列	SIA4xxDJ
配置	Single
零件号别名	SIA406DJ-GE3