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  • 型号: SI7194DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SI7194DP-T1-GE3产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI7194DP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6590pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

145nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 20A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7194DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

83W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

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