【SI4396DY-T1-E3/规格参数】厂家_SI4396DY-T1-E3中文资料_价格

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型号： SI4396DY-T1-E3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI4396DY-T1-E3产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET 30V 16A 5.4W 11.5mohm @ 10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	12.3 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4396DY-T1-E3TrenchFET®
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产品型号	SI4396DY-T1-E3SI4396DY-T1-E3
Pd-PowerDissipation	3.1 W
Pd-功率耗散	3.1 W
RdsOn-漏源导通电阻	11.5 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	71 ns, 29 ns
下降时间	7 ns, 8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.6V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1675pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11.5 毫欧 @ 10A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	SI4396DY-T1-E3TR SI4396DYT1E3
典型关闭延迟时间	22 ns, 24 ns
功率-最大值	5.4W
包装	带卷（TR）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	11.5 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	12.3 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single with Schottky Diode
零件号别名	SI4396DY-E3