【RZQ045P01TR/规格参数】厂家_RZQ045P01TR中文资料_价格

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型号： RZQ045P01TR
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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RZQ045P01TR产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6MOSFET P Chan-12V+/-4.5A 1.5V Drive
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	Rohm Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZQ045P01TR-
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产品型号	RZQ045P01TR
Pd-PowerDissipation	1250 mW
Pd-功率耗散	1.25 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	35 mOhms at 4.5 V
RdsOn-漏源导通电阻	35 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	- 12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
上升时间	75 ns
下降时间	75 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2450pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	31nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	35 毫欧 @ 4.5A，4.5V
产品目录绘图
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TSMT6
其它名称	RZQ045P01DKR
典型关闭延迟时间	390 ns
功率-最大值	1.25W
包装	Digi-Reel®
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装/箱体	TSMT-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	12V
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain