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Datasheet下载- 型号： RW2R0DAR050FET
- 制造商： Ohmite
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RW2R0DAR050FET产品简介：
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Ohmite RW2R0DAR050FET 是一款高精度、高功率的厚膜片式电阻器（表面贴装型），阻值为0.05 Ω（50 mΩ），公差±1%，额定功率达2 W（在70°C下），采用2512封装尺寸，具备低TCR（温度系数约±100 ppm/°C）和优异的脉冲耐受能力。 其典型应用场景包括： - 电流检测（Shunt Application）：因阻值极低且功率密度高，广泛用于电源管理、电机驱动、电池管理系统（BMS）中实时监测负载电流； - 开关电源（SMPS）反馈与限流电路：在DC-DC转换器、AC-DC适配器中作为初级侧或次级侧电流采样电阻； - 工业控制与逆变器：在变频器、伺服驱动器中用于IGBT/MOSFET过流保护检测； - 汽车电子：符合AEC-Q200基础可靠性要求（需确认具体批次认证），适用于车载充电机（OBC）、电池监控模块等； - 测试设备与电源负载：在电子负载、可编程电源中作为高稳定性采样元件。 该型号采用端接镀锡铜合金结构，具备良好焊接性与抗热冲击能力，适合回流焊工艺。注意：实际应用中需确保PCB散热设计（如加宽铜箔、散热焊盘、过孔阵列），以维持额定功率及长期稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | RES 0.05 OHM 2W 1% SMD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Ohmite |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RW2R0DAR050FET |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | RW |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24653 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SMD J 引线，凹陷型 |
| 其它名称 | RW2R0DAR050FETR |
| 功率(W) | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.455" 长 x 0.240" 宽（11.56mm x 6.10mm） |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 4524 J 形引线 |
| 成分 | 绕线 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 温度系数 | ±90ppm/°C |
| 特性 | 电流检测 |
| 电阻(Ω) | 0.05 |
| 端子数 | 2 |
| 高度 | 0.231"（5.87mm） |
