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- 型号： RSH110N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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RSH110N03TB1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSH110N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RSH110N03TB1价格参考以及ROHM SemiconductorRSH110N03TB1封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RSH110N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有RSH110N03TB1详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSH110N03TB1 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，封装为 SOP-8（表面贴装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 11 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=12A）、耐压 30V，内置 ESD 保护及优化的开关特性。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、USB PD 充电器等中小功率 Buck/Boost 转换器的同步整流管或主开关管，提升效率并减小发热。 ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备中用作电池供电路径控制（如 USB 接口供电切换、背光/传感器模块供电启停），利用其低 Rds(on) 和快速开关特性实现高效通断与低待机功耗。 ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机进纸机构、玩具车）的 H 桥或单路驱动，支持 PWM 调速，兼顾响应速度与热稳定性。 ✅ LED 驱动电路：作为恒流源开关或调光控制器件，用于中低功率 LED 照明模块（如智能灯条、指示面板），配合限流电阻实现可靠亮度调节。 该器件不适用于高压（>40V）、大电流（>20A）或高频射频场景；设计时需注意 PCB 散热布局（SOP-8 热阻较高），建议搭配合理栅极驱动（避免振荡）及输入端 RC 缓冲以抑制电压尖峰。 （注：品牌“-”应为 ROHM，型号前缀“RSH”为其标准命名体系）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8MOSFET Nch 30V 11A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH110N03TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSH110N03TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.7 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSH110N03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
