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- 型号： PTZTE259.1B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PTZTE259.1B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE259.1B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE259.1B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE259.1B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 9.8V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE259.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE259.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的PTZTE259.1B是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别，标称齐纳电压为9.1V。该器件主要用于电压基准、电压钳位和过压保护等电路中。 在实际应用中，PTZTE259.1B常用于电源管理电路，为低功率模拟或数字系统提供稳定的参考电压，例如在运算放大器、ADC/DAC偏置电路中作为基准源。由于其具有较低的动态阻抗和良好的温度稳定性，适合对电压精度要求较高的场合。 此外，该型号也广泛应用于消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）中的信号线路保护，防止静电放电（ESD）或瞬态电压对敏感元器件造成损坏。其小型化封装（如SOD-523）节省PCB空间，适合高密度布局的便携式设备。 工业控制和汽车电子中，PTZTE259.1B可用于传感器信号调理电路，稳定工作电压，提高系统可靠性。虽然不直接用于大功率场景，但可配合其他元件实现稳压功能。 总之，PTZTE259.1B凭借其稳定的电气性能和紧凑的封装，适用于需要精确9.1V稳压或保护的小信号电路，广泛服务于消费电子、工业控制及车载电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 9.8V 1W PMDS稳压二极管 9.1V 40MA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE259.1B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE259.1B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE259.1BCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.8V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 5.9 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.65 V |
