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  • 型号: PTZTE259.1B
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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PTZTE259.1B产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE259.1B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE259.1B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE259.1B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.8V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE259.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTZTE259.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 9.8V 1W PMDS稳压二极管 9.1V 40MA

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE259.1B-

数据手册

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产品型号

PTZTE259.1B

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

20µA @ 6V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

PMDS

其它名称

PTZTE259.1BCT

功率-最大值

1W

功率耗散

1 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±6%

封装

Reel

封装/外壳

DO-214AC,SMA

封装/箱体

SOD-106

工作温度

-

工厂包装数量

1500

最大反向漏泄电流

20 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

10 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.8V

电压容差

6 %

电压温度系数

5.9 mV/deg C

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

6 欧姆

齐纳电压

9.65 V

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