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PTVS8V5S1UR,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS8V5S1UR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS8V5S1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS8V5S1UR,115封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载PTVS8V5S1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS8V5S1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS8V5S1UR,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路的静电放电(ESD)和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为8.5 V,钳位电压低(约14.5 V @ 10 A),响应时间小于1 ns,具备±30 kV(接触放电)的IEC 61000-4-2 ESD防护等级。 该器件常用于对电压敏感、需高可靠性保护的低压直流接口场景,例如:USB 2.0/3.0端口、HDMI信号线、LVDS接口、工业传感器I/O端口、汽车电子中的CAN/LIN总线收发器供电或信号线(符合AEC-Q101认证)、便携式设备(如智能手机、平板电脑)的电池输入端或按键/触摸电路等。其SOD-123封装体积小、功耗低(峰值脉冲功率600 W),适合空间受限且需快速泄放浪涌能量的应用。 在实际设计中,通常并联在被保护线路与地之间,靠近接口端放置,以有效抑制雷击感应、开关噪声、热插拔尖峰及人体静电等瞬态干扰,保障后级MCU、收发器或电源管理IC的安全运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123W |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTVS8V5S1UR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-7469-1 |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 9.44V |
| 电压-反向关态(典型值) | 8.5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 14.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 27.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |