【PSMN8R0-30YLC,115/规格参数】厂家_PSMN8R0-30YLC,115中文资料_价格

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型号： PSMN8R0-30YLC,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PSMN8R0-30YLC,115产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAKMOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	54 A
Id-连续漏极电流	54 A
品牌	NXP Semiconductors
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R0-30YLC,115-
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产品型号	PSMN8R0-30YLC,115
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	42 W
Pd-功率耗散	42 W
Qg-GateCharge	15 nC
Qg-栅极电荷	15 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	7.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	7.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.59 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.59 V
上升时间	11 ns
下降时间	7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.95V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	848pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	7.9 毫欧 @ 15A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-7591-2 934066008115 PSMN8R030YLC115
功率-最大值	42W
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
封装/箱体	LFPAK33-4
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	54A （Tmb）