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Datasheet下载- 型号： PSMN8R0-30YL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN8R0-30YL,115产品简介：
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PSMN8R0-30YL,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅8.0 mΩ @ VGS=10 V，10.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优异的热性能。 其主要应用场景包括： ✅ 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器主开关管，凭借低RDS(on)显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制器、电动工具、无人机电调及智能家电中的功率级驱动，支持快速开关与强电流脉冲。 ✅ 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：在便携式设备、储能系统中用作充放电主控开关或过流保护器件，具备良好的雪崩耐受能力与短路鲁棒性。 ✅ LED照明驱动与固态继电器（SSR）：作为高效、静音、长寿命的开关元件，替代传统继电器或IGBT，适用于智能照明和工业控制模块。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU直接驱动），集成优化的体二极管，具备低反向恢复电荷（Qrr），适合高频（可达500 kHz以上）硬开关应用。其无铅、符合RoHS的LFPAK56封装兼具小尺寸与优异散热性能，便于紧凑型PCB布局。 综上，PSMN8R0-30YL,115适用于对效率、功率密度、可靠性和驱动简易性要求严苛的中高功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN8R0-30YL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1005pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.3 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6904-2 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 62A （Tmb） |
