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- 型号： PSMN3R3-80ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PSMN3R3-80ES,127产品简介：
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PSMN3R3-80ES,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.3 mΩ @ Vgs = 10 V，4.7 mΩ @ Vgs = 4.5 V）和高漏源击穿电压（80 V），适用于高效率、高功率密度的中压开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 电动工具与园林设备：用于无刷直流（BLDC）电机驱动的半桥/全桥逆变器，凭借低 Rds(on) 减小导通损耗，提升电池续航与散热性能； ✅ 服务器与通信电源：作为同步整流管或 DC-DC 转换器（如 POL、VRM）中的主开关器件，支持高频高效工作（适配 100–500 kHz 开关频率）； ✅ 工业电机控制与 UPS 系统：在中小功率（<5 kW）变频驱动、备用电源切换电路中实现快速、可靠的功率开关； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q101）：适用于车载充电机（OBC）、DC-DC 变换器、电子助力转向（EPS）等12 V/24 V/48 V系统，具备强抗雪崩能力与热稳定性； ✅ LED 驱动与固态继电器（SSR）：作为恒流调节开关或负载开关，响应快、无机械触点、寿命长。 其逻辑电平驱动特性（Vgs(th) 1–2.5 V）可直接兼容 3.3 V/5 V MCU 或驱动 IC，简化外围设计；LFPAK56 封装兼具优异热性能（Rth(j-sp) ≈ 1.9°C/W）与高可靠性，适合紧凑型 PCB 布局。 综上，该器件广泛应用于对效率、功率密度、鲁棒性及驱动简易性要求较高的中压功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R3-80ES,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R3-80ES,127 |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9961pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-8598-5 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
| 配置 | Single |
