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Datasheet下载- 型号： PSMN030-150B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN030-150B,118产品简介：
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PSMN030-150B,118 是 Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达120 A，脉冲峰值更高）及优良的热性能。 该器件主要适用于中高功率、高效率的直流开关应用，典型场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源，利用其低Rds(on)降低导通损耗，提升能效； ✅ 电机控制：用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动、风扇/泵类负载的PWM调速电路； ✅ 电源管理与保护：作为电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器或负载开关，支持快速关断与过流保护； ✅ LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作主开关，实现高效调光与稳流； ✅ 工业自动化模块：PLC输出级、继电器替代、电磁阀驱动等需可靠、低热耗开关的场合。 其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.1 V）便于直接由MCU、FPGA或标准逻辑IC（如3.3 V/5 V系统）驱动，无需额外电平转换或驱动芯片，简化设计并降低成本。SOT-223封装兼顾散热性与PCB面积限制，适合空间受限但需一定功率处理能力的应用。 注：实际使用中需注意PCB铜箔散热设计、栅极驱动稳定性及SOA（安全工作区）限制，尤其在高频或感性负载切换时应加强栅极电阻与电压钳位保护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN030-150B,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5950-1 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55.5A （Tc） |
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