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Datasheet下载- 型号： PSMN009-100P,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN009-100P,127产品简介：
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PSMN009-100P,127 是 NXP USA Inc. 推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 9.5 mΩ @ VGS = 10 V，11.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID = 80 A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、DC-DC 转换器（如降压/BUCK拓扑）的主开关或续流开关，提升效率并降低温升。 - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）、步进电机及风扇驱动控制，尤其在需要高电流、低损耗和逻辑电平直接驱动（兼容 3.3V/5V MCU）的场合。 - 负载开关与电源管理：用于板级电源域的热插拔保护、电池供电系统中的负载切换、LED 驱动电源控制等，凭借低 RDS(on) 和强雪崩耐量保障可靠性。 - 逆变器与 UPS 系统：在中小功率光伏微逆变器、不间断电源（UPS）的 DC-AC 逆变桥臂中作为功率开关器件。 该器件通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（如车载充电模块、电动座椅控制），但需结合具体应用设计进行可靠性验证。其 100 V 耐压等级适合中高压工业及通用电源场景，兼顾性能与成本优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN009-100P,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 156nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5770 |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
