【PMZB380XN,315/规格参数】厂家_PMZB380XN,315中文资料_价格

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型号： PMZB380XN,315
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PMZB380XN,315产品简介：

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PMZB380XN,315 是恩智浦（NXP）推出的P沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-23小体积封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85 mΩ @ Vgs = -4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其主要应用场景包括：

• 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应；  
• DC-DC转换器中的同步整流或高边开关：适用于降压（Buck）或SEPIC拓扑的辅助开关，提升转换效率；  
• LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或PWM调光的高速通断器件，支持高频调光且发热低；  
• 工业与消费类IoT模块：在MCU（如ARM Cortex-M系列）GPIO直接驱动下可靠工作（Vgs(th)低至-0.5 V至-1.2 V），适用于电池供电传感器节点的电源域隔离；  
• ESD敏感场景：内置ESD保护（HBM ±2 kV），适合USB接口周边、音频电路等需抗静电干扰的应用。

该器件不适用于大电流（连续ID ≤ 0.7 A）或高压（VDS ≤ -20 V）主功率路径，但凭借小尺寸、逻辑兼容性及高可靠性，在空间受限、强调能效与集成度的中低功率嵌入式系统中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V SGL 3DFNMOSFET 30V Single N-channel Trench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	930 mA
Id-连续漏极电流	930 mA
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMZB380XN,315-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PMZB380XN,315
Pd-PowerDissipation	2700 mW
Pd-功率耗散	2.7 W
Qg-GateCharge	0.65 nC
Qg-栅极电荷	0.65 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	380 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	380 mOhms
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1 V
上升时间	9.5 ns
下降时间	5.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	56pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.87nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	460 毫欧 @ 200mA，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	3-DFN1006B（0.6x1）
其它名称	568-10843-6
典型关闭延迟时间	14 ns
功率-最大值	360mW
包装	Digi-Reel®
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	3-XFDFN
封装/箱体	DFN1006B-3
工厂包装数量	10000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	930mA （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single