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Datasheet下载- 型号： PMZ350XN,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMZ350XN,315产品简介：
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PMZ350XN,315 是 Nexperia USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 35 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为 30 V，连续漏极电流 ID 为 3.5 A（Tc=25°C），适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器——作为同步整流开关或低压侧开关，提升转换效率（尤其在 3.3 V/5 V 输入的降压电路中）； ✅ 电机驱动与继电器替代——用于小型直流电机（如风扇、振动马达）或电磁阀的 PWM 控制，支持逻辑电平直接驱动（兼容 3.3 V MCU GPIO）； ✅ USB 接口过流保护与热插拔控制——凭借快速响应和低功耗，适用于 USB 供电路径管理； ✅ 工业与消费类 IoT 模块——在传感器节点、无线模块（如 BLE/Wi-Fi）中实现高效、紧凑的电源通断控制。 该器件具备 AEC-Q101 认证（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车身控制模块中的非安全相关负载切换）。其小尺寸、高可靠性与宽温度范围（–55°C 至 +150°C）使其成为高密度 PCB 设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMZ350XN,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 37pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 420 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-7441-2 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.87A （Tc） |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/3M 1170 1"SQ-250.jpg)
