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Datasheet下载- 型号： PMPB40SNA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMPB40SNA,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB40SNA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMPB40SNA,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMPB40SNA,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMPB40SNA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMPB40SNA,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 PMPB40SNA,115 是一款采用 SOT-23（SC-59）封装的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 40 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 4.8 nC）及 30 V 耐压，连续漏极电流达 3.6 A（Tamb = 25°C）。其小尺寸、高效率与快速开关特性，使其广泛应用于空间受限、中低功率的便携式电子设备中。 典型应用场景包括： ✅ 便携式设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 背光驱动或 USB 接口过流保护； ✅ DC-DC 转换器：作为同步整流开关（尤其在降压型 Buck 转换器的下管），提升转换效率； ✅ 电池供电系统：用于电池充放电路径控制、电池保护电路（如电子保险丝 eFuse）或反向电流阻断； ✅ 电机/执行器驱动：驱动微型直流电机、振动马达或继电器线圈（需配合限流设计）； ✅ 逻辑电平接口切换：兼容 3.3 V/5 V MCU GPIO 直接驱动，适用于 I/O 扩展、信号选通等数字控制场景。 该器件具备无铅、符合 RoHS 及 AEC-Q101（车规级）认证（注：PMPB40SNA,115 为工业级，非 AEC-Q101；若需车规应用，建议选用 Nexperia 同系列 AEC-Q101 认证型号如 PMPB40XNA），可靠性高，热性能良好，适合大批量、高性价比的消费类与工业嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB40SNA,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 612pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10446-1 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.9A （Tc） |
