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Datasheet下载- 型号： PMF290XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMF290XN,115产品简介：
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PMF290XN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用 SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4 Ω @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.6 nC）和额定电压 −20 V、连续漏极电流 −380 mA（Ta = 25°C）。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断； ✅ LED 驱动控制：用于小功率背光或指示灯的 PWM 调光开关，利用其快速开关特性与低功耗优势； ✅ 逻辑电平接口与信号切换：在 1.8 V/3.3 V MCU 系统中实现电平转换或外设使能控制（兼容低驱动电压）； ✅ 电池供电系统的节能设计：作为“理想二极管”替代方案，降低压降与功耗，延长续航； ✅ 空间受限的消费类与物联网终端：得益于超小尺寸（2.0 × 2.1 × 0.9 mm）和无铅 RoHS 兼容封装，适用于高密度 PCB 布局。 该器件不适用于大电流、高压或高频功率转换主回路，但凭借高可靠性、低静态功耗与成熟车规级工艺基础（虽非AEC-Q101认证，但广泛用于工业及消费级严苛环境），是中小功率、高集成度嵌入式系统中理想的低压侧开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMF290XN,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMF290XN,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 560 mW |
| Pd-功率耗散 | 560 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 34pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6870-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 560mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tsp） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMF290XN T/R |
