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PMEG6030EP,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG6030EP,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG6030EP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG6030EP,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 60V 3A Surface Mount SOD-128/CFP5。您可以下载PMEG6030EP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG6030EP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG6030EP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能肖特基势垒整流二极管,采用SOD-123F小型表面贴装封装。其主要参数包括:最大反向电压(VR)60 V、最大正向电流(IF)3 A、超低正向压降(典型值仅0.47 V @ 3 A,25°C),并具备优异的反向漏电流特性(IR < 2 µA @ 60 V)和快速开关性能(无反向恢复电荷,适合高频应用)。 该器件广泛应用于对效率、尺寸与热性能要求严苛的便携式及空间受限电子系统中,典型应用场景包括: 1. USB供电与快充电路——作为同步整流或电源路径管理中的OR-ing二极管,降低功耗与温升; 2. DC-DC转换器输出整流(如Buck拓扑次级侧)——提升转换效率,尤其适用于5–24 V输入、3–5 V输出的高密度电源模块; 3. 电池供电设备的反向极性保护与电源冗余切换(如TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点); 4. 汽车电子辅助系统(符合AEC-Q101可靠性标准,实际用于车载USB充电口、车身控制模块等12 V系统中的低压整流与防反接保护)。 其小尺寸、低VF和高可靠性使其成为替代传统PN结整流器的理想选择,在提升能效、简化散热设计及节省PCB面积方面优势显著。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128肖特基二极管与整流器 3A MEGA SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG6030EP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG6030EP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 360pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-6530-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.53 V |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 热阻 | 12°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |