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- 型号： PMEG2010EV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMEG2010EV,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010EV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMEG2010EV,115价格参考以及NXP SemiconductorsPMEG2010EV,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMEG2010EV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMEG2010EV,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010EV,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的低压肖特基势垒整流二极管，采用SOD-123F小型表面贴装封装。其典型参数包括：20V反向电压（VR）、1A平均整流电流（IF(AV)）、超低正向压降（典型值仅0.39V @ 1A，25°C），以及快速开关特性（反向恢复时间trr < 5ns）。 该器件主要适用于空间受限、高效率、低功耗的直流电源路径管理场景，典型应用包括： ✅ 便携式电子设备电源轨保护与防反接（如USB供电接口、移动电源、TWS耳机充电仓）； ✅ DC-DC转换器输出端的同步整流替代或辅助整流（尤其在3.3V/5V低压输入系统中，可显著降低导通损耗）； ✅ 电池供电系统中的反向电流阻断（如单节锂电或聚合物电池供电的IoT传感器节点、可穿戴设备），防止关机时负载倒灌耗电； ✅ LED驱动电路及低噪声LDO前端整流，利用其低VF和无反向恢复电荷特性，减少EMI干扰。 其微型封装（尺寸仅2.7×1.7×1.0 mm）和无铅、符合RoHS标准的设计，特别适合高密度PCB布局与自动化贴片生产。需注意：该器件为肖特基型，不适用于高压或高温（Tj > 150°C）严苛环境，且反向漏电流相对较大（典型120μA @ 20V, 25°C），设计时应结合温升与系统漏电要求综合评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMEG2010EV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 5V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 15V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7392-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 标准包装 | 1 |
| 热阻 | 405°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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