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PMEG2010ER,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010ER,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010ER,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010ER,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 20V 1A Surface Mount CFP3。您可以下载PMEG2010ER,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010ER,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010ER,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的低压肖特基势垒整流二极管,采用SOD-123小尺寸表面贴装封装,具有低正向压降(典型值仅0.39 V @ 1 A)、快速开关特性及高效率优势。其额定参数为20 V反向电压、1 A平均整流电流,适用于低压、大电流、高能效的直流电源路径管理场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表等内部LDO前级或电池充放电路径中的防反接与同步整流; ✅ USB供电系统(USB PD/BC1.2):在5 V–9 V输入路径中实现低损耗整流与电源路径选择; ✅ DC-DC转换器输出侧续流/整流:尤其适用于同步Buck转换器的续流支路替代方案,或非同步设计中降低导通损耗; ✅ 负载开关与电源轨OR-ing:在多电源冗余供电(如主备电池切换)中实现低损耗单向导通与反向隔离; ✅ 工业与IoT传感器节点:在空间受限、强调能效与热性能的低功耗模块中提供可靠整流功能。 该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证(部分批次),亦可用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐系统外围电源电路。其小体积、低VF和良好热性能,使其成为现代紧凑型、高效化电源设计的理想选型之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY LOW VF |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010ER,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010ER,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 340mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 175pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6504-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 310 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 18°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |