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PMEG2010ER,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010ER,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010ER,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010ER,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 20V 1A Surface Mount CFP3。您可以下载PMEG2010ER,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010ER,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMEG2010ER,115 是一款肖特基势垒二极管,属于单整流器二极管类别。该器件具有低正向压降(典型值约0.38V)和高效率特性,适用于对能效和热性能要求较高的应用场景。 其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理与电池充电电路,用于防止反向电流和提高系统效率;消费类电子产品中的DC-DC转换器,发挥其快速开关和低损耗优势;工业控制设备和家用电器中的信号整流与保护电路;以及USB供电、适配器、充电器等低压电源系统中的整流与防倒灌设计。 PMEG2010ER,115 采用SOD123表面贴装封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。其最大平均整流电流为1A,反向重复峰值电压为100V,具备良好的热稳定性和可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,广泛应用于注重绿色环保和小型化的现代电子产品中。 综上所述,PMEG2010ER,115 特别适用于需要高效、低功耗、小尺寸的电源整流与保护场景,是消费电子、工业控制和便携设备中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY LOW VF |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010ER,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010ER,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 340mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 175pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-6504-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 310 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 18°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |