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Datasheet下载- 型号： PMEG2010BEV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMEG2010BEV,115产品简介：
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PMEG2010BEV,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压、低正向压降（Schottky）肖特基整流二极管，采用超小型无引线DFN1006-2（SOD-123W）封装，尺寸仅1.0 mm × 0.6 mm。其典型正向压降低至约0.38 V（IF = 1 A），反向耐压20 V，最大平均整流电流1 A，具备优异的能效与热性能。 该器件主要面向空间受限、高效率要求的便携式及电池供电设备，典型应用场景包括： ✅ USB供电电路（如Type-C接口的VBUS路径保护与反向电流阻断）； ✅ 电池管理系统（BMS）中锂电池充放电路径的防反接与续流保护； ✅ DC-DC转换器输出端（尤其在3.3 V/5 V POL模块中）作同步整流替代或输出整流，降低功耗与温升； ✅ 可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等超紧凑终端的电源轨隔离与负载开关辅助电路； ✅ IoT传感器节点与低功耗MCU供电系统中，用于提升轻载效率并减少发热。 其低VF特性显著降低导通损耗，配合小尺寸与高可靠性（AEC-Q200兼容，支持回流焊），特别适合对能效、体积和长期稳定性有严苛要求的消费电子与工业嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BEV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010BEV,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7390-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.5 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 80°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010BEV T/R |
