【二极管 - 整流器 - 单_PMEG2010BER,115】封装/厂家_PMEG2010BER,115中文资料_价格

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型号： PMEG2010BER,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PMEG2010BER,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010BER,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010BER,115价格参考￥0.62-￥0.62。NXP SemiconductorsPMEG2010BER,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单，肖特基表面贴装二极管 20V 1A CFP3。您可以下载PMEG2010BER,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2010BER,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMEG2010BER,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压肖特基势垒整流二极管（单管），主要面向便携式与空间受限的高效电源管理场景。其典型应用包括：  
- USB供电与移动设备电源路径管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的USB接口反向电流保护及5V/3.3V电源轨整流；  
- DC-DC转换器输出整流：在同步或非同步降压（Buck）转换器中作为续流二极管，利用其低正向压降（VF ≈ 0.38V @ 1A）和快速开关特性（反向恢复时间近乎为零），提升转换效率并减少发热；  
- 电池供电系统保护：用于防止电池反接、多电源（如电池+USB）之间的电源优先级切换与隔离；  
- 低功耗IoT节点与传感器模块：在能量敏感型设计中实现高效微电流整流与电压钳位。  

该器件采用超小型SOD-123W封装（尺寸仅2.7×1.7×1.2 mm），支持高密度贴装；额定参数为20V反向电压、1A平均整流电流、峰值浪涌电流30A，兼具高可靠性与低热阻。适用于对能效、体积和响应速度要求严苛的消费电子、工业控制及汽车信息娱乐系统（符合AEC-Q101基础认证，但需确认具体批次是否通过车规认证）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE G3010BEP/SOD
产品分类	单二极管/整流器分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BER,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PMEG2010BER,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	450mV @ 1A
不同 Vr、F时的电容	185pF @ 1V，1MHz
不同 Vr时的电流-反向漏电流	50µA @ 20V
二极管类型	肖特基
产品	Schottky Rectifiers
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	SOD123W
其它名称	568-6503-2 934061457115 PMEG2010BER,115-ND
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	-
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOD-123W
封装/箱体	SOD-123
峰值反向电压	20 V
工作温度-结	150°C （最大）
工作温度范围	+ 150 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大功率耗散	570 mW
最大反向漏泄电流	50 uA
最大工作温度	+ 150 C
最大浪涌电流	50 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向电压下降	395 mV
正向连续电流	1 A
热阻	18°C/W Jl
电压-DC反向(Vr)（最大值）	20V
电流-平均整流(Io)	1A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
配置	Single