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Datasheet下载- 型号： PMEG2010BELD,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMEG2010BELD,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010BELD,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010BELD,315价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010BELD,315封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A DFN1006-2。您可以下载PMEG2010BELD,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2010BELD,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010BELD,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压降肖特基势垒整流二极管（Schottky Barrier Diode），采用超小型无铅DFN1006-2（SOD-123W）封装，具有低正向压降（典型值仅0.39 V @ 1 A）、高效率和快速开关特性。其额定参数为20 V反向电压、1 A平均整流电流，结温可达150°C，适合空间受限与高能效要求的应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的USB充电路径管理、电池充放电保护电路，利用其低压降提升续航并减少发热； 2. DC-DC转换器续流二极管：在同步或非同步降压（Buck）转换器中作为高效续流元件，尤其适用于3.3 V/5 V输入的微型电源模块； 3. 负载开关与反向电压保护：在FPGA、MCU、传感器等敏感IC供电端实现低成本、低损耗的反接保护； 4. LED驱动与低功耗IoT节点：在纽扣电池或能量采集供电系统中，降低导通损耗以延长工作时间。 该器件符合AEC-Q200标准（车规级可靠性），亦可用于车载信息娱乐系统、ADAS模块等对可靠性要求较高的轻型汽车电子场景。其小尺寸与高热性能（优异的PCB散热能力）使其成为现代紧凑型电子产品中高效整流与保护的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882肖特基二极管与整流器 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BELD,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010BELD,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 490mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 40pF @ 1V， 1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 568-10222-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 1.6ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 封装/箱体 | DFN-1006D-2 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 恢复时间 | 1.6 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 40 pF |
| 最大功率耗散 | 1135 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 25°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
