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- 型号： PMEG2005AELD,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMEG2005AELD,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005AELD,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005AELD,315价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005AELD,315封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， Diode Schottky 20V 500mA Surface Mount DFN1006D-2。您可以下载PMEG2005AELD,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2005AELD,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMEG2005AELD,315 是一款高性能的肖特基势垒二极管，属于单整流器二极管类别。该器件采用小型 SOD323 封装，具有低正向压降（典型值约 0.38V）和快速开关特性，最大平均整流电流为 2A，反向重复峰值电压为 20V，适用于低电压、高效率的电源应用。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与电池充电电路；USB供电接口（如USB Type-A/C）中的反向保护和电流整流；低压直流-直流转换器（DC-DC）中的续流与箝位二极管；以及各类消费类电子产品中的电源保护电路。由于其小型化封装和高功率密度特性，特别适合空间受限且对热性能要求较高的紧凑型设计。 此外，PMEG2005AELD,315 符合 AEC-Q101 汽车级认证，因此也广泛应用于车载电子系统，如车载信息娱乐设备、LED照明驱动模块和车载充电器中，提供可靠的电压保护和整流功能。其高可靠性、低功耗和优异的热稳定性，使其在工业控制、通信设备和物联网终端设备中也有广泛应用。 总之，PMEG2005AELD,315 凭借其高效能、小尺寸和高可靠性，是现代电子设备中理想的整流与保护元件，尤其适用于追求高能效与小型化的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD882D肖特基二极管与整流器 Schottky Diode |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005AELD,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005AELD,315 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 440mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1.5mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD882D |
| 其它名称 | 568-7528-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 6ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882D |
| 封装/箱体 | SOD-882 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 恢复时间 | 6 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 25 pF |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 1500 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 365 mV |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | * |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
