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Datasheet下载- 型号： PMDPB95XNE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMDPB95XNE,115产品简介：
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PMDPB95XNE,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道逻辑电平 N 沟道 MOSFET 阵列（采用 TSOP6 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 24 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池保护电路或背光 LED 驱动控制，利用其双N沟道结构实现高效同步整流或电源路径切换。 - DC-DC 转换器与电源模块：在降压（Buck）转换器中用作同步整流管（尤其适用于小功率、高效率场景），提升转换效率并减小发热。 - 电机驱动与接口控制：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）或继电器驱动，配合微控制器 GPIO 直接驱动，无需额外电平转换。 - I²C/IO 扩展与逻辑电平转换辅助电路：作为双向电平移位器或总线开关的驱动级，支持 1.8V–5V 逻辑兼容。 - LED 矩阵/多路驱动：在紧凑型照明系统中用于分时控制多组 LED，发挥其低导通损耗和小封装优势。 该器件集成度高、尺寸小（TSOP6，2.1×1.6 mm）、ESD 防护强（HBM ±2kV），适合空间受限、需高可靠性和低功耗的消费类及工业嵌入式应用。注意：使用时需确保栅极驱动电压满足逻辑电平要求（推荐 Vgs ≥ 2.5V），并合理设计 PCB 散热与布局以维持性能稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V DUAL HUSON6MOSFET PMDPB95XNE/HUSON6/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB95XNE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDPB95XNE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 1.65 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.65 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 143pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10764-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 475mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
