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PMBD6050,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBD6050,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBD6050,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBD6050,215封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 标准 表面贴装 二极管 70V 215mA(DC) TO-236AB。您可以下载PMBD6050,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBD6050,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBD6050,215 是 NXP USA Inc. 推出的单芯片硅开关二极管(常被归类为整流器类,实际更准确为高速开关二极管),采用SOT-23封装。其典型正向压降低(约0.7 V @ 10 mA)、反向恢复时间极短(约4 ns)、反向击穿电压达70 V、最大正向电流200 mA,兼具低电容(约2 pF)与高开关速度特性。 主要应用场景包括: 1. 高速数字电路中的钳位与保护:如I/O端口静电防护(ESD)、信号线电压钳位,防止过压损坏MCU或接口芯片; 2. 小功率DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)或反激式(Flyback)拓扑中作续流/箝位二极管(尤其适用于中低频、中小电流场合); 3. 信号整流与检波:在射频接收前端、传感器信号调理电路中实现小信号包络检波或AC/DC转换; 4. 逻辑电平转换与隔离:配合上拉/下拉电阻实现双向电平适配或总线隔离; 5. LED驱动与背光控制:用于PWM调光路径中的电流续流或极性切换。 需注意:该器件非标准整流二极管(如1N4007),不适用于工频大电流整流;其优势在于高频、低功耗、小体积,广泛应用于便携式设备(智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)、工业传感器模块及通信接口电路中。设计时应关注其峰值反向电压与浪涌电流限制,避免超规格使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SWITCH 70V 0.215A TO236AB整流器 85V 215mA |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,NXP Semiconductors PMBD6050,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBD6050,215 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1.5pF @ 0V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4877-2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 反向电压 | 85 V |
| 反向电流IR | 0.1 uA |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 1.25 V at 0.15 A |
| 正向连续电流 | 0.215 A |
| 热阻 | 500°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 70V |
| 电流-平均整流(Io) | 215mA(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMBD6050 T/R |