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  • 型号: PMBD6050,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMBD6050,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBD6050,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBD6050,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBD6050,215封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 标准 表面贴装 二极管 70V 215mA(DC) TO-236AB。您可以下载PMBD6050,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBD6050,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBD6050,215 是 NXP USA Inc. 推出的单芯片硅开关二极管(常被归类为整流器类,实际更准确为高速开关二极管),采用SOT-23封装。其典型正向压降低(约0.7 V @ 10 mA)、反向恢复时间极短(约4 ns)、反向击穿电压达70 V、最大正向电流200 mA,兼具低电容(约2 pF)与高开关速度特性。

主要应用场景包括:  
1. 高速数字电路中的钳位与保护:如I/O端口静电防护(ESD)、信号线电压钳位,防止过压损坏MCU或接口芯片;  
2. 小功率DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)或反激式(Flyback)拓扑中作续流/箝位二极管(尤其适用于中低频、中小电流场合);  
3. 信号整流与检波:在射频接收前端、传感器信号调理电路中实现小信号包络检波或AC/DC转换;  
4. 逻辑电平转换与隔离:配合上拉/下拉电阻实现双向电平适配或总线隔离;  
5. LED驱动与背光控制:用于PWM调光路径中的电流续流或极性切换。

需注意:该器件非标准整流二极管(如1N4007),不适用于工频大电流整流;其优势在于高频、低功耗、小体积,广泛应用于便携式设备(智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)、工业传感器模块及通信接口电路中。设计时应关注其峰值反向电压与浪涌电流限制,避免超规格使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SWITCH 70V 0.215A TO236AB整流器 85V 215mA

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,整流器,NXP Semiconductors PMBD6050,215-

数据手册

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产品型号

PMBD6050,215

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.25V @ 150mA

不同 Vr、F时的电容

1.5pF @ 0V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 50V

二极管类型

标准

产品

Ultra Fast Recovery Rectifiers

产品目录绘图

产品种类

整流器

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-4877-2
933859220215
PMBD6050 T/R
PMBD6050 T/R-ND
PMBD6050,215-ND

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

4ns

反向电压

85 V

反向电流IR

0.1 uA

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

3000

恢复时间

4 ns

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

正向电压下降

1.25 V at 0.15 A

正向连续电流

0.215 A

热阻

500°C/W Ja

电压-DC反向(Vr)(最大值)

70V

电流-平均整流(Io)

215mA(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

PMBD6050 T/R

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