Datasheet下载- 型号： PMBD354,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBD354,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBD354,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBD354,215封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 30mA TO-236AB (SOT23)。您可以下载PMBD354,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBD354,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBD354,215 是 NXP USA Inc. 推出的双通道高速开关二极管（RF 开关二极管），采用 SOT-23 封装，具有低结电容（典型值 0.3 pF @ 0 V）、快速开关时间（tON/tOFF < 4 ns）和低正向压降（VF ≈ 0.85 V @ 10 mA）等特性，专为高频、低功耗射频信号路径控制设计。 其主要应用场景包括： 1. 手机及便携式无线设备中的天线开关：用于 GSM/WCDMA/LTE/5G 终端的发射/接收（T/R）切换、多模多频天线调谐与分集接收； 2. 射频前端模块（FEM）中的信号路由：在收发器与天线之间实现低损耗、高隔离度的 RF 通路选择； 3. 无线通信模块（如 Wi-Fi 6/6E、Bluetooth 5.x）中的 LNA 保护与旁路电路：提供 ESD 防护（符合 IEC 61000-4-2 Level 4）及瞬态抑制功能； 4. IoT 传感器节点与可穿戴设备中的低功耗 RF 控制：得益于微安级漏电流（IR < 1 nA @ 10 V）和小尺寸封装，适用于电池供电场景。 该器件不适用于大功率射频整流或高电压稳压，而是聚焦于 0–3 GHz 频段内高线性度、低插入损耗的开关应用，是消费类无线终端中成本敏感、空间受限设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 4V 30MA SOT23肖特基二极管与整流器 DIODE SW TAPE-7 |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMBD354,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBD354,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对串联 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7378-6 |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 4 V |
| 工作温度范围 | + 100 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.25 uA |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.6 V at 0.01 A |
| 正向连续电流 | 0.03 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 4V |
| 电流-最大值 | 30mA |
| 配置 | Dual Series |
| 零件号别名 | PMBD354 T/R |
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