Datasheet下载- 型号： PESD5V0L4UW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PESD5V0L4UW,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD5V0L4UW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD5V0L4UW,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD5V0L4UW,115封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载PESD5V0L4UW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD5V0L4UW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD5V0L4UW,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款低电容、四通道双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的高速差分信号线路，如USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI D-PHY（摄像头/显示屏接口）、LVDS、SD卡接口等。该器件每通道仅0.8 pF（典型值）的超低结电容，可最大限度减少信号衰减与失真，保障高速信号完整性；同时提供±15 kV接触放电、±25 kV空气放电的IEC 61000-4-2 Level 4 ESD防护能力，满足严苛的工业与消费类电子可靠性要求。其微型DFN1310-6（1.3 mm × 1.0 mm）封装支持高密度PCB布局，适用于空间受限的现代移动终端。此外，5.0 V的击穿电压（VBR ≈ 5.6 V）与钳位电压（VC ≈ 12 V @ 1 A）确保在瞬态过压下快速响应并有效箝位，保护后端敏感IC（如SoC、图像传感器、显示驱动器）免受ESD损伤。综上，该器件核心价值在于在不牺牲信号质量前提下，为高速、小型化、高可靠性电子系统提供高效、紧凑的ESD防护解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 13VC SOT665TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD5V0L4UW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD5V0L4UW,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 16pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-665 |
| 其它名称 | 568-6760-2 |
| 击穿电压 | 6.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-665 |
| 封装/箱体 | SOT-665 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 1.7 mm L x 0.6 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 2.5 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 30 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 5 V |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.46V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13V |
| 电容 | 16 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.5A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PESDxL4U |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 13 V |
| 零件号别名 | PESD5V0L4UW T/R |
