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Datasheet下载- 型号： PEMB11,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMB11,115产品简介：
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PEMB11,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极电阻（R₁）和基极-集电极反馈电阻（R₂），实现内置偏置，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于 3.3V/5V MCU 或 FPGA 输出信号驱动 LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，提供可靠开关功能； 2. LED 驱动电路：常用于消费电子（如电视背光控制、键盘指示灯、状态指示）中多路LED的恒流/开关控制，节省PCB空间与BOM成本； 3. 信号调理与缓冲：在传感器接口或通信线路中作电平整形、反相/同相缓冲，利用其快速开关特性（fₜ ≈ 180 MHz）支持中低速数字信号； 4. 电池供电设备中的低功耗开关：具备低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）与微安级关断电流，适用于便携式设备电源管理模块； 5. 工业控制I/O扩展：在PLC模块、智能电表、家电主控板中用作隔离式输入检测或输出驱动单元，提升系统可靠性与抗干扰能力。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，支持高密度贴装，符合AEC-Q100（Grade 3）标准，亦可用于汽车电子非安全相关场景（如车身照明控制）。整体以高集成度、简化设计、稳定开关性能为优势，广泛应用于消费电子、工业自动化及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB11,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-8593-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
