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  • 型号: PDZ5.6B,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ5.6B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ5.6B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ5.6B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ5.6B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ5.6B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDZ5.6B,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为5.6 V(容差通常±5%),最大功率耗散为250 mW,采用SOD-323封装。其典型应用场景包括:

1. 低功耗电压基准与稳压:为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定参考电压,尤其适用于电池供电的便携设备(如IoT节点、可穿戴设备),因功耗低、体积小。

2. 过压保护与箝位:并联于敏感IC输入端(如MCU GPIO、ADC引脚),在瞬态过压(如ESD、感应噪声)时导通,将电压箝位在约5.6 V,配合限流电阻实现简易保护。

3. 电源轨监控与反馈:用于LDO或DC-DC转换器的反馈网络中,辅助实现精确输出电压设定;或在电源监测电路中作为阈值检测元件。

4. 信号电平转换与限幅:在低速数字/模拟信号链中限制信号幅度,防止后级电路饱和或损坏。

该器件具有良好的温度稳定性(齐纳电压温度系数较低)、快速响应(纳秒级),且符合AEC-Q200标准(部分批次),亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统(如车身控制模块的传感器接口)。注意:实际应用中需严格核算功耗(P = Vz × Iz),避免超过250 mW额定值,并确保散热条件满足要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 5.6V 400MW SOD323稳压二极管 VREG 200MA 2%

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ5.6B,115-

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产品型号

PDZ5.6B,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 2.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

568-3848-1

功率-最大值

400mW

功率耗散

400 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SC-76

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

1 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

50 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

电压容差

2 %

电压温度系数

1.9 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

50 欧姆

零件号别名

PDZ5.6B T/R

齐纳电压

5.605 V

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