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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ5.6B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ5.6B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ5.6B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ5.6B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ5.6B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ5.6B,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为5.6 V(容差通常±5%),最大功率耗散为250 mW,采用SOD-323封装。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:为微控制器、传感器或模拟电路提供稳定参考电压,尤其适用于电池供电的便携设备(如IoT节点、可穿戴设备),因功耗低、体积小。 2. 过压保护与箝位:并联于敏感IC输入端(如MCU GPIO、ADC引脚),在瞬态过压(如ESD、感应噪声)时导通,将电压箝位在约5.6 V,配合限流电阻实现简易保护。 3. 电源轨监控与反馈:用于LDO或DC-DC转换器的反馈网络中,辅助实现精确输出电压设定;或在电源监测电路中作为阈值检测元件。 4. 信号电平转换与限幅:在低速数字/模拟信号链中限制信号幅度,防止后级电路饱和或损坏。 该器件具有良好的温度稳定性(齐纳电压温度系数较低)、快速响应(纳秒级),且符合AEC-Q200标准(部分批次),亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统(如车身控制模块的传感器接口)。注意:实际应用中需严格核算功耗(P = Vz × Iz),避免超过250 mW额定值,并确保散热条件满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 400MW SOD323稳压二极管 VREG 200MA 2% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ5.6B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ5.6B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-3848-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 50 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 1.9 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 50 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ5.6B T/R |
| 齐纳电压 | 5.605 V |