ICGOO在线商城 > PDTC143ZE,115
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PDTC143ZE,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143ZE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PDTC143ZE,115价格参考以及NXP SemiconductorsPDTC143ZE,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PDTC143ZE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有PDTC143ZE,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC143ZE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管,即预偏置BJT),常用于简化电路设计、减少外围元件数量。其典型应用场景包括: - 逻辑电平转换与接口驱动:可将微控制器(如MCU、GPIO)的3.3V/5V低电流输出信号,可靠地转换为足以驱动LED、继电器线圈、小型电磁阀或MOSFET栅极的开关信号。 - LED驱动:内置R1=4.7kΩ、R2=4.7kΩ上拉/下拉电阻,支持直接由数字IC驱动单颗或多颗串联LED(限流需外配电阻),广泛用于状态指示灯、面板背光控制等。 - 负载开关与电源使能控制:作为低压侧开关,控制模块供电通断(如传感器、无线模块的待机唤醒),响应快、功耗低。 - 信号调理与电平检测:在简单电压阈值检测电路中,配合分压网络实现过压/欠压提示功能。 - 工业与消费类电子:常见于打印机、家电控制板、智能电表、IoT终端等对成本、尺寸和可靠性敏感的嵌入式系统中。 该器件具备SOT323小体积封装、高直流电流增益(hFE ≥ 80 @ IC = 10mA)、快速开关特性(tON/tOFF < 100ns),并符合AEC-Q101车规级可靠性标准(部分批次),亦适用于部分车载信息娱乐系统的非安全相关子模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC143ZE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC143ZE,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2165-2 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC143ZE T/R |
| 频率-跃迁 | - |