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Datasheet下载- 型号： PBLS2001S,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PBLS2001S,115产品简介：
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PBLS2001S,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外部偏置电路。 该器件广泛应用于空间受限、需简化设计的中低功率数字与模拟接口场景： - 数字信号电平转换与驱动：如微控制器 GPIO 扩展，驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器； - 逻辑缓冲/反相应用：利用其内置电阻实现施密特触发或简单开关功能； - 传感器接口电路：配合光电开关、霍尔传感器等，提供可靠信号整形与电流放大； - 电源管理辅助电路：用于负载开关控制、使能信号调理或LDO/DC-DC 的使能端驱动； - 消费电子与工业控制板卡：在打印机、家电主控板、PLC 模块中替代分立偏置方案，提升可靠性并节省PCB面积。 其 SOT-363（SC-70-6）封装尺寸小、ESD防护强（HBM >8 kV），适合高密度贴装；工作温度范围 -65°C 至 +150°C，满足工业级应用需求。典型直流电流增益（hFE）为160–450，最大集电极电流 100 mA，适用于连续或脉冲开关应用（非线性放大）。 综上，PBLS2001S,115 主要面向需高集成度、快速开发及稳定开关性能的嵌入式系统前端接口设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2001S,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS2001S,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 355mV @ 300mA， 3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7227-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms at NPN |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 3000 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual Dual Collector |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 20 V at PNP |
| 零件号别名 | PBLS2001S T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
