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  • 型号: PBLS2001S,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBLS2001S,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2001S,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PBLS2001S,115价格参考以及NXP SemiconductorsPBLS2001S,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PBLS2001S,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有PBLS2001S,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2001S,115-

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产品型号

PBLS2001S,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 20mA,5V / 150 @ 2A,2V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-7227-2
934060277115
PBLS2001S T/R
PBLS2001S T/R-ND
PBLS2001S,115-ND
PBLS2001S115

典型电阻器比率

1 at NPN

典型输入电阻器

2.2 kOhms at NPN

功率-最大值

1.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

峰值直流集电极电流

100 mA at NPN, 3000 mA at PNP

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 NPN 预偏压式,1 PNP

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V,20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,3A

电流-集电极截止(最大值)

1µA, 100nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

配置

Dual Dual Collector

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V at NPN, 20 V at PNP

零件号别名

PBLS2001S T/R

频率-跃迁

100MHz

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