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Datasheet下载- 型号： PBLS1502Y,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS1502Y,115产品简介：
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PBLS1502Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如ARM、MCU）GPIO引脚驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化电路设计； 2. 信号切换与多路控制：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中实现I/O扩展或状态指示灯控制； 3. 电源管理辅助电路：用作负载开关使能控制、电池充电状态指示、LDO使能信号调理等； 4. 工业与消费类传感器接口：配合霍尔传感器、光电开关等数字输出型传感器，提供信号整形与电流放大； 5. 替代传统分立偏置BJT方案：显著减少PCB面积、BOM数量及装配成本，提升生产良率与一致性。 其ESD防护（HBM >8 kV）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C）及AEC-Q101兼容性（部分批次），也支持汽车电子中的车身控制模块（BCM）非安全关键子系统应用（如车窗/座椅位置指示）。需注意：该器件不适用于大电流（I<100 mA）、高电压（V<50 V）或线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS1502Y,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 150 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7220-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
