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- 型号： NZH30C,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NZH30C,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH30C,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供NZH30C,115价格参考以及NXP SemiconductorsNZH30C,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载NZH30C,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有NZH30C,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH30C,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管（Zener Diode），标称稳压值为 30 V（容差约 ±5%），最大功率耗散为 500 mW，采用 SOD-123 表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或电源监控模块中，为ADC参考、比较器阈值或微控制器复位电路提供稳定30 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、传感器接口）免受瞬态高压冲击； 3. 电源钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、LED驱动或工业控制信号调理电路中，限制节点电压不超过30 V，防止器件击穿； 4. 电平转换与信号整形：在高速通信接口（如RS-485接收端）中辅助实现电压限幅，提升抗干扰能力； 5. 电池管理系统（BMS）：用于30 V等级锂电组的电压采样分压网络中的精密稳压参考点。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ −0.075%/°C）和高可靠性，适用于工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、通信设备及消费类电源管理等中低压稳压场景。需注意其不适用于大电流稳压（建议工作电流≤10 mA），且应合理设计散热与限流电阻以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 30V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH30C,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH30C,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40nA @ 23V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6363-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 40 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 55 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 电压容差 | 5 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
| 齐纳电压 | 30 V |
