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NCP5901DR2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5901DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5901DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5901DR2G封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, 半桥 Gate Driver IC 非反相 8-SOIC。您可以下载NCP5901DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5901DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP5901DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款PMIC栅极驱动器,广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理的场景。该器件主要用于驱动MOSFET或IGBT等功率开关,适用于同步降压转换器、DC-DC转换器及负载点(POL)电源系统。其典型应用场景包括笔记本电脑、台式机和服务器的主板供电系统,为CPU、GPU等核心部件提供稳定的电压调节。此外,NCP5901DR2G也适用于电信设备、网络设备和工业电源系统,在这些高可靠性要求的环境中,其具备快速开关能力、低传播延迟和良好的抗噪声性能,有助于提升整体能效与系统稳定性。该器件采用SOIC-8封装,体积小巧,适合空间受限的设计。同时,它集成多种保护功能,如欠压锁定(UVLO)和热关断,增强了系统安全性。总体而言,NCP5901DR2G凭借高集成度、高效率和高可靠性,成为中低功率数字电源应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC门驱动器 VR12 MOSFET DRIVER |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor NCP5901DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NCP5901DR2G |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCP5901DR2GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -10°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 30ns |
| 最大关闭延迟时间 | 30 ns |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大开启延迟时间 | 30 ns |
| 最小工作温度 | - 10 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | - |
| 电源电压-最大 | 13.2 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电流 | 12.2 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 系列 | NCP5901 |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 输出电压 | 35 V |
| 配置 | 高端和低端,同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 35V |