Datasheet下载- 型号： MT41K512M8RH-125 IT:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M8RH-125 IT:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M8RH-125 IT:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41K512M8RH-125 IT:E TR封装/规格：存储器， SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（9x10.5）。您可以下载MT41K512M8RH-125 IT:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M8RH-125 IT:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT41K512M8RH-125 IT:E TR 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3L SDRAM存储器，属于低电压高性能的动态随机存取存储器，容量为4Gb（512M×8），采用86-ball FBGA封装。该型号工作电压为1.35V，相比标准DDR3更节能，适用于对功耗敏感的应用场景。 主要应用场景包括：工业自动化设备、嵌入式系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗电子设备以及汽车电子系统。由于其支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），具备良好的环境适应性和稳定性，特别适合在严苛工业环境中长期运行。此外，该器件也广泛用于需要高可靠性和持续数据处理能力的边缘计算设备和固态存储控制器中。 得益于其高密度、低功耗和高可靠性，MT41K512M8RH-125 IT:E TR 在要求紧凑设计与高效能平衡的中高端电子产品中具有重要应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M8RH-125 IT:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |
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