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MPSW01AG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSW01AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供MPSW01AG价格参考以及ON SemiconductorMPSW01AG封装/规格参数等产品信息。 你可以下载MPSW01AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有MPSW01AG详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSW01AG 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型小信号双极结型晶体管(BJT),采用TO-92封装,具有高增益(hFE典型值100–300)、低噪声、快速开关特性(fT ≈ 250 MHz)及良好的温度稳定性。其典型应用场景包括: 1. 小信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理(如温度、光敏电阻微弱信号放大)等低功率模拟电路; 2. 开关控制:在微控制器I/O口驱动能力不足时,用作电平转换或负载(LED、小型继电器、蜂鸣器)的开关驱动; 3. 脉冲/数字电路:用于简单的逻辑反相器、振荡器(如多谐振荡器)、定时电路及红外发射接收前端; 4. 消费电子与工业控制:广泛应用于家电控制板、电源管理模块、电机启停控制、电池供电设备等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 该器件额定集电极电流IC=500 mA,VCEO=25 V,功耗PC=625 mW,兼顾性能与易用性,适合中低频、中小功率应用。因其引脚兼容传统MPSW01系列,也常用于老旧设计的升级替换或产线备料。注意:不适用于大功率放大或高频射频主通路,需配合合理基极限流电阻及散热设计以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN SS HC 1W 40V TO92两极晶体管 - BJT 1A 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSW01AG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MPSW01AG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 100mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 其它名称 | MPSW01AGOS |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.01 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 |
| 系列 | MPSW01A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |