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MMSZ5252BT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5252BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5252BT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMMSZ5252BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 24V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5252BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5252BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5252BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:MMSZ5252BT1G 的齐纳电压为 6.2V,适用于需要稳定电压的电路中,例如为低压电源或参考电压提供稳定的输出。 2. 过压保护:该器件可以用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。例如,在信号输入端口上使用齐纳二极管来限制电压峰值,避免损坏后续电路。 3. 电平移位:在不同电压电平之间进行转换时,齐纳二极管可用于调整信号电平,确保兼容性。例如,将高电平信号降至较低电平以匹配接收设备的要求。 4. 噪声抑制:通过并联连接到电路中,MMSZ5252BT1G 可以帮助减少电源或信号线上的高频噪声,提高系统的稳定性。 5. 基准电压源:由于其稳定的齐纳电压特性,这款二极管可以用作简单而可靠的基准电压源,尤其是在低功耗应用中。 6. 浪涌吸收:在开关电源或其他可能存在瞬态电压的环境中,齐纳二极管能够吸收瞬间高压,保护核心组件。 7. 模拟电路中的线性化:某些情况下,齐纳二极管被用来改善放大器或其他模拟电路的线性性能。 总之,MMSZ5252BT1G 凭借其精确的齐纳电压和紧凑的封装形式,非常适合各种消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中的保护与调节功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 24V 500MW SOD123稳压二极管 24V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5252BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5252BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 18V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5252BT1GOSTR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 33 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 24V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 33 欧姆 |
| 齐纳电压 | 24 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |