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MMSZ4681T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4681T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4681T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4681T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4681T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4681T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4681T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 MMSZ 系列。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - MMSZ4681T1G 的齐纳击穿电压为 5.1V(典型值),适用于低电压稳压电路。它可以在电源系统中提供稳定的参考电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。 - 常用于消费电子、工业设备和通信设备中的电源模块。 2. 过压保护 - 该型号的齐纳二极管可以限制电路中的瞬态高电压,防止敏感元件因过压而损坏。例如,在传感器接口或信号传输线路中,它可以有效抑制电压尖峰。 - 适用于 USB 接口、音频信号线等需要保护的关键节点。 3. 基准电压源 - MMSZ4681T1G 可用作精密基准电压源,为模拟电路或混合信号电路提供稳定的参考电压。例如,在 ADC/DAC 转换器、运放电路或比较器中,它可以用作输入或输出的参考点。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可用于箝位输入或输出信号,将其限制在安全的工作范围内。例如,在音频放大器或射频电路中,它可以防止信号幅度过大导致失真或损坏。 5. 电源监控与管理 - 在电池管理系统(BMS)或电源监控电路中,MMSZ4681T1G 可以用来检测电压是否超出设定范围,并触发保护机制。 - 例如,在锂电池保护电路中,它可以配合其他元件实现欠压或过压报警功能。 6. 小型化设计 - MMSZ4681T1G 采用 SOD-323 小型封装,适合对空间要求严格的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网(IoT)终端等。 总结 MMSZ4681T1G 具有低功耗、高稳定性和紧凑封装的特点,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。其核心功能包括电压稳压、过压保护、基准电压源和信号箝位等,能够满足多种电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123稳压二极管 2.4V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4681T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ4681T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4681T1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.4V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ4678T1 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 2.4 V |
| 齐纳电流 | 50 uA |